高性能数字化电源芯片的新标尺Inno

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电源适配器不断提升的快充性能,已经成为各大品牌手机的性能亮点,不断提升的性能背后是支持手机快充的电源适配器芯片的不断创新。

PI最新推出的InnoSwitch4-Pro就是高性能数字化电源芯片的新标尺。从InnoSwitch3-Pro,到InnoSwitch4-CZ再到InnoSwitch4-Pro,可实现的最高输出功率从W提升到W,其漏极峰值极限电流也从14A增加到26A,最大次级开关频率从kHZ提升到了kHz。

InnoSwitch4-Pro延续了InnoSwitch4-CZ的众多优点,集成一系列最新创新技术,引入具有多种智能保护功能的架构革新的控制引擎,更加拓展了对外部电路的适应性。在物料尺寸保持不变的情况下,输出功率不断突破极限,InnoSwitch4-Pro的最大输出功率已经可以达到W,为手机、平板电脑以及笔记本适配器市场带来更好的高效、小型化且设计简单的新体验。以常用的笔记本电脑为例,供电功率在W~W之间,采用InnoSwitch4-Pro可以实现更小巧的便携电源适配器的设计。

从工程师角度来看,InnoSwitch4-Pro采用氮化镓PowiGaN技术、集成I2C接口的数字控制器,支持多种USB-PD协议。再配合MinE-CAP缩减电容尺寸的技术以及ClampZero有源钳位技术,可以让工程师做到完美巧妙地实现性能和成本的平衡。不仅能够满足更高的技术参数要求,还能降低系统综合成本。

PI最令人印象深刻的是PowiGaN优异的性能参数和高度的智能化控制引擎。以InnoSwith4-ProINNF为例,在标准环境温度下的导通电阻最小可达0.欧姆,测试条件下漏极电容小于10pF。这样的参数可以支持最高kHz的开关频率,最大26A的峰值漏极电流。这样可以在电源适配器中使用更小尺寸的变压器,进而减轻电源重量,缩小电源尺寸。而非对称驱动方式有源钳位技术的采用可以保证电源在连续导通模式(CCM)和非连续导通模式(DCM)均可实现零电压开关(ZVS),降低了开关损耗,最终整体电源可以实现超过95%的转换效率。在电源适配器的设计中,功率电子元件高速通断下的导通损耗是设计中热管理的核心。当采用了导通电阻很低的氮化镓开关后,可以大幅减小导通损耗,进而最大程度地减小了元件所需耗散的热量。在使用PCB板散热的条件下,损耗的降低得以保证IC在利用本体散热的情况下输出更大的额定输出功率。同时也降低了设计中对散热片、导热材料的使用要求。这些综合措施,使得采用InnoSwitch4-Pro的电源适配器能够在保持高性能的情况下做得更小巧、更耐用。良好的设计甚至可以实现安全不使用散热片的产品。

PIInnoSwith4-Pro的另外一个特征就是高度集成的创新数字可编程控制引擎。InnoSwitch4-Pro系列产品在一次侧集成了最高耐压达V的PowiGaN开关以及驱动器,通过满足隔离要求的内置的磁感耦合反馈机制,将初级侧和次级侧的控制器链接起来(如下图)。次级侧的智能控制器通过I2C接口与外部的微控制器连接,可以实现丰富的控制功能。满足USB-PD以及其它各种私有协议,同时也可满足即将推出的中国通信标准化协会的UFCS融合快充协议。

InnoSwitch4-Pro是一款支持数字控制的离线恒压/恒流零电压开关(ZVS)反激式IC。与ClampZero芯片搭配可以实现有源钳位反激设计。通过I2C总线与外部的微处理器通信,可以进行精准的电压电流控制与设定,提供高精度的恒压/恒流输出。可实现10mV或者30mA档位的电压和电流精准调整。具有更全面的故障监测及功能设置,包括过温保护、过电压保护、故障情况下的自动重启动、输入欠压/过压监测、高压侧驱动延时设置、变频软起动模式设置、零电压开关优化设置、连续导通模式(CCM)和非连续导通模式(DCM)设置等。这些灵活的设定方式适配更多的电路形式,进而满足不同应用的特殊需求。这些完备的智能化,安全控制措施,完全集成在InnoSwitch4-Pro内,工程师可以按照PI提供的用户手册,通过I2C总线对相应的寄存器加以访问设定,实现所需的具体规格及定制化的保护特性。

为充分发挥InnoSwitch4-Pro的智能化潜力,方便工程师快速设计满足市场需求的电源适配器,PI还在

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